47D/812/CDV:2011-11

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putilov_denis / Fotolia

Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Gehäusezeichnungen von SMD-Halbleitergehäusen - Konstruktionsleitfaden für Halbleitergehäuse Si-Feinraster-Ball- Grid-Array und Si-Feinraster-Land-Grid-Array (S-FBGA und S-FLGA)

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Entwurf war:

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11.11.2011 Historisch
47D/811A/CC:2011-11

Dieses Dokument entspricht:

International

47D/812/CDV:2011-11
Dokumentart
Komiteeentwurf zur Abstimmung
Status
Historisch
Erscheinungsdatum
25.11.2011
Sprache
Englisch
Zuständiges Gremium
DKE/UK 631.4
Kontakt
Referat
Marko Kesic
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

3r815.1v9ztQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-417

Referatsassistenz
Betina Vlonga
Merianstr. 28
63069 Offenbach am Main

sv_z4r.A254xrQAuv.t53 Tel. +49 69 6308-431

Themen

Normung + Standardisierung
Leistungselektronik
Mikroelektronik
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